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光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管在光不同照度下的伏安特性曲线

2026/6/13

电动推杆/
光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构,并且在工艺上将 基区面积制作的较大,发射区面积较小.这种特殊结构,能使人射光多数被基区吸收。当光 敏晶体管集电极施加正电压、基区开路时,即集电极工作于反向偏置状态,光照射到基区就 会激发出光生电子空穴对,光生电子被拉到集电区,而空穴则滞留在基区靠近发射结的一边, 使发射结的电压升高,形成输出电流,并且集电区输出电流为光生电流的p倍。这样,光敏 晶体管就完成了光电转换。
光敏晶体管可以制成多种类型的光敏传感器,其输出电路简单,输出电流较大,尤其在 低频光敏传感器电路中广泛应用。
(1)光敏晶体管有一个最佳灵敏度峰值波长。当入射光的波长偏离峰值波长时,光敏晶体管的灵敏 度将显著减小。这是因为当人射光的波长较短时,光子在半导体表面就被吸收掉,并且光子 在半导体表面激发出的电子空穴对也不能到达PN结,所以相对灵敏度就较低;而当人射光的 波长较长时,由于光子的能量较小,不足以激发出电子空穴对,所以相对灵敏度也较低.
(2)光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管 在光不同照度下的伏安特性曲线,如同普通晶 体晶体管在不同基极电流作用下的输出特性曲 线一样。因此,可以将人射光在发射结上所产生 的光生电流比作基极电流,这样就可将光敏晶 体管看作普通晶体晶体管进行分析了。光敏晶 体管能把光信号转换成电信号,而且输出的电信号较大。

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